[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法

说明书

本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一透明导电层、第二透明导电层、透明介质层、反射电极、连接电极和DBR层；第一透明导电层和第二透明导电层的材料均为ITO，第二透明导电层中的氧含量小于第一透明导电层中的氧含量；N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有凹槽和隔离槽；第一透明导电层铺设在P型半导体层上，第二透明导电层和透明介质层设置在第一透明导电层上；反射电极铺设在第二透明导电层和透明介质层上，连接电极设置在N型半导体层上；DBR层铺设在凹槽和隔离槽的各个表面上，可提高芯片的可靠性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒装发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，可以高效地将电能转化为光能。LED的心脏是芯片，LED芯片的结构包括正装、倒装和垂直。

相关技术中，倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、透明反射层、反射电极和连接电极。N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽。透明导电层、透明反射层和反射电极依次层叠在P型半导体层上，透明反射层内设有延伸至透明导电层的通孔，反射电极设置在通孔内与透明导电层接触，并铺设在透明反射层上。连接电极设置在凹槽内的N型半导体层上。

在实现本公开的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：

倒装LED芯片的发光亮度在使用过程中降低，性能不稳定，无法应用在车灯等对可靠性要求较高的场合。

发明内容

本公开实施例提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，可以对反射电极进行有效保护，使得芯片的性能保持稳定。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种倒装发光二极管芯片，所述倒装发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一透明导电层、第二透明导电层、透明介质层、反射电极、连接电极和分布式布拉格反射层；所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料均为氧化铟锡，所述第二透明导电层中的氧含量小于所述第一透明导电层中的氧含量；

所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽、以及延伸至所述衬底的隔离槽；所述第一透明导电层铺设在所述P型半导体层上，所述第二透明导电层和所述透明介质层设置在所述第一透明导电层的不同区域上；所述反射电极铺设在所述第二透明导电层和所述透明介质层上，所述连接电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上；所述分布式布拉格反射层铺设在所述凹槽和所述隔离槽的各个表面上。

可选地，所述第二透明导电层中的氧含量为所述第一透明导电层中的氧含量的1/10～1/8。

可选地，所述第二透明导电层包括依次层叠在所述第一透明导电层上的多个子层，各个所述子层中的氧含量沿所述多个子层的层叠方向逐层减小。

可选地，所述反射电极包括依次层叠在所述第二透明导电层和所述透明介质层上的反射层和阻挡层，所述反射层为银层，所述阻挡层包括交替层叠的铜镍合金层和铂金层。

可选地，所述铜镍合金层中的铜含量为1％～5％。

可选地，所述隔离槽的侧面呈台阶状。

可选地，所述倒装发光二极管芯片还包括钝化层和透明胶体，所述钝化层铺设在所述分布式布拉格反射层上，所述隔离槽的侧面和底面连接处的钝化层上设有凹坑，所述透明胶体铺设在所述隔离槽的各个表面上。

另一方面，本公开实施例提供了一种倒装发光二极管芯片的制作方法，所述制作方法包括：