[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010226988.9 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111554785B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。发光二极管外延片的缓冲层包括沿外延片的生长方向层叠的：第一GaN子层作为后续第一SINx子层等结构的生长基础，第一SINx子层上形成部分微孔，位错被截断在第一SINx子层与第二GaN子层之间。在第二GaN子层上生长第二SINx子层，避免位错延伸至N型GaN层及有源层内。最终在第二SINx子层上生长第三GaN子层，作为过渡层保证后N型GaN层及有源层的质量。延伸至N型GaN层及有源层的位错较少，可以有效提高外延层的整体质量，有源层内会形成的缺陷较少，有源层内的非辐射复合减少，有效提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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