[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010226988.9 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111554785B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层及P型GaN层，
所述缓冲层包括沿所述外延片的生长方向依次层叠的第一GaN子层、第一SINx子层、第二GaN子层、第二SINx子层及第三GaN子层，所述第一SINx子层上具有多个微孔，所述第一SINx子层的生长速率为0.01～0.03nm/s，所述微孔在所述第一SINx子层的生长过程中自然形成，所述第二SINx子层的厚度为0.5～1.5nm，所述第二SINx子层的生长速率为0.04～0.1nm/s，所述第二SINx子层上没有微孔。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一GaN子层的厚度为5～10nm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一SINx子层的厚度为1.5～3.5nm。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN子层的厚度为3～10nm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三GaN子层的厚度为1～5nm。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层，所述缓冲层包括沿所述外延片的生长方向依次层叠的第一GaN子层、第一SINx子层、第二GaN子层、第二SINx子层及第三GaN子层，所述第一SINx子层的生长速率为0.01～0.03nm/s，所述第二SINx子层的厚度为0.5～1.5nm，所述第二SINx子层的生长速率为0.04～0.1nm/s，所述第二SINx子层上没有微孔；
在所述缓冲层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长有源层；
在所述有源层上生长P型GaN层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一GaN子层的生长温度、所述第二GaN子层的生长温度、所述第三GaN子层的生长温度相同；
所述第一SINx子层的生长温度、所述第二SINx子层的生长温度相同。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一GaN子层的生长温度比所述第一SINx子层的生长温度低30～50℃。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的生长压力为200～500Torr。
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