[发明专利]大尺寸单晶金刚石生长方法及生长用复合基底在审
| 申请号： | 202010216555.5 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111321466A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪启军;甘志银;吴改;冯淦;郝跃 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18;C30B25/04;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大尺寸单晶金刚石生长方法及生长用复合基底，能够生长得到高质量、大尺寸的单晶金刚石。本发明所提供的生长方法，包括：步骤1.采用钽酸钾单晶材料作为衬底；步骤2.将钽酸钾衬底放入MPCVD进行等离子体刻蚀；步骤3.放入磁控溅射设备中，高温下在钽酸钾衬底的上表面进行铱金属缓冲层的生长；步骤4.对步骤3所得衬底的四周的侧面以及底面采用常温溅射的方法生长一层铱膜；步骤5.向MPCVD内通入甲烷和氢气，在偏压条件下，生长形核层；步骤6.关掉偏压，生长金刚石外延层；步骤7.对金刚石外延层的上表面进行图形化处理，得到生长用复合基底；步骤8.将生长用复合基底放入MPCVD进行异质外延单晶金刚石生长。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 金刚石 生长 方法 复合 基底 | ||
【主权项】：
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