[发明专利]传感器在审
申请号: | 202010214737.9 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111855755A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 樱井和彦;原田昌树;赤井幸辉;镰形州一 | 申请(专利权)人: | 纳博特斯克有限公司 |
主分类号: | G01N27/07 | 分类号: | G01N27/07;G01N27/20 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的传感器包括:第1电极;第2电极;吸附部,其配置于所述第1电极与所述第2电极之间,通过吸附比所述第1电极与所述第2电极之间的间隔小的导体颗粒而使所述第1电极与所述第2电极之间的电阻变化;以及短路抑制部,其用于抑制由具有比所述第1电极与所述第2电极之间的间隔大的尺寸的大径导体片引起的所述第1电极与所述第2电极间的短路。 | ||
搜索关键词: | 传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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