[发明专利]传感器在审
| 申请号: | 202010214737.9 | 申请日: | 2020-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN111855755A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 樱井和彦;原田昌树;赤井幸辉;镰形州一 | 申请(专利权)人: | 纳博特斯克有限公司 |
| 主分类号: | G01N27/07 | 分类号: | G01N27/07;G01N27/20 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传感器 | ||
1.一种传感器,其中,
该传感器包括:
第1电极;
第2电极;
吸附部,其配置于所述第1电极与所述第2电极之间,通过吸附比所述第1电极与所述第2电极之间的间隔小的导体颗粒而使所述第1电极与所述第2电极之间的电阻变化;以及
短路抑制部,其用于抑制由具有比所述第1电极与所述第2电极之间的间隔大的尺寸的大径导体片引起的所述第1电极与所述第2电极间的短路。
2.根据权利要求1所述的传感器,其中,
该传感器具备用于检测所述第1电极与所述第2电极之间的电阻的变化的检测部。
3.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,
所述短路抑制部是设于所述第1电极和所述第2电极中的至少一者的具有绝缘性的凸部。
4.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,
所述短路抑制部是设于所述吸附部的凸部。
5.根据权利要求4所述的传感器,其中,
所述短路抑制部和所述吸附部之间形成单件构造。
6.根据权利要求4所述的传感器,其中,
所述短路抑制部和所述吸附部之间成为分体构件。
7.根据权利要求1所述的传感器,其中,
所述短路抑制部具有绝缘性。
8.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,
所述短路抑制部是沿着与所述第1电极和所述第2电极相面对的方向交叉的方向延伸的线材。
9.一种传感器,其中,
该传感器包括:
多个检测单元,其包括一对电极和吸附部,该吸附部配置于所述一对电极之间,通过吸附导体颗粒而使所述一对电极之间的电阻变化;以及
检测部,当在所设定的数量的所述检测单元中电阻发生变化的情况下,该检测部输出信号。
10.根据权利要求9所述的传感器,其中,
在未吸附所述导体颗粒的状态下,所述多个检测单元各自的电阻相同。
11.根据权利要求9或10所述的传感器,其中,
所述多个检测单元相互并联连接。
12.一种传感器,其中,
该传感器具有:
第1电极;
第2电极;
吸附部,其配置于所述第1电极与所述第2电极之间,通过吸附导体颗粒而使所述第1电极与所述第2电极之间的电阻变化;
检测部,其用于检测吸附了预定量的所述导体颗粒的情况;以及
灵敏度调整部,其调整所述导体颗粒的吸附状态而变更检测灵敏度。
13.根据权利要求12所述的传感器,其中,
所述灵敏度调整部调整所述第1电极与所述第2电极之间的距离。
14.根据权利要求13所述的传感器,其中,
所述灵敏度调整部是配置于所述第1电极与所述第2电极之间的绝缘体的壁,且形成所述壁的高度不同的所述绝缘体的组。
15.根据权利要求13所述的传感器,其中,
所述灵敏度调整部是配置于所述第1电极与所述第2电极之间的绝缘体,且形成所述第1电极与所述第2电极之间的所述绝缘体的厚度不同的所述绝缘体的组。
16.根据权利要求13~15中任一项所述的传感器,其中,
所述第1电极在与所述第2电极相同的面上具有端部。
17.根据权利要求12所述的传感器,其中,
所述灵敏度调整部是至少在所述吸附部以外吸附所述导体颗粒的其他吸附部。
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