[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010187073.1 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111725191A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 大坪义贵;殿冈俊;松田哲也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/49;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小，并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内，将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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