[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体元件，其被收容于壳体；

端子电极，其以能够与所述壳体的外部电连接的方式而设置；以及

内部配线，其设置于所述壳体内，将所述半导体元件与所述端子电极之间电连接，

所述内部配线在所述内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部，

所述熔断部包含一组并列配线即多根金属线，

所述多根金属线中的一根金属线的电阻值比在所述一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多根金属线具有至少大于或等于2种电阻值而作为所述多根金属线各自的所述电阻值。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述内部配线还包含电路图案，该电路图案具有导电性，并且在设置于所述壳体内的绝缘基板的主面进行配线，

所述多根金属线将所述半导体元件与所述端子电极之间的2个区域间进行连接，

所述2个区域各自是所述半导体元件、所述端子电极或所述电路图案。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其还具有：

所述壳体；以及

所述绝缘基板，

所述半导体元件保持于所述绝缘基板的所述主面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述多根金属线各自是键合导线。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述多根金属线各自由铝、金、银或铜构成，或者由包含铝、金、银或铜的合金构成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述多根金属线中的所述一根金属线的截面积比在所述一根金属线的外侧配线的所述其它金属线的截面积小。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

在将流过所述多根金属线的电流值设为I，将所述多根金属线的数量设为n，将分别与所述多根金属线对应地流过的多个电流中的最大电流值设为Imax，将所述多个电流中的最小电流值设为Imin的情况下，满足

(Imax-Imin)/(I/n)＞50％

的关系式。