[发明专利]半导体装置

说明书

目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小，并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内，将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

当前，在半导体模块中的电容器等电子部件发生了短路故障的情况下，在半导体模块所包含的半导体装置流过过大的短路电流，半导体模块破损。并且，由于超过额定值的电流流过半导体装置，因此该半导体模块的破损程度变大。

在专利文献1中记载了将与功率开关元件的芯片连接的配线的一部分用作熔断器的功率模块元件。就专利文献1的功率模块而言，通过改变板熔断器的切入量而调整其熔断特性。或者，通过改变键合导线的数量、粗细或长度而调整其熔断特性。例如，在熔断部由多根键合导线构成的情况下，为了可靠地熔断所有的键合导线，必须减小各导线的截面积。

专利文献1：日本特开平8-195411号公报

在通过调整电流路径的截面积而调整熔断特性的情况下，熔断部的截面积比该熔断部的前后的电流路径的截面积小。例如，电流路径的最小截面部对应于熔断部。

由于最小截面部为高电阻，因此在半导体装置进行通常动作的情况下，最小截面部成为发热源。因此，半导体装置在通常动作时温度升高，给其它电子部件等带来不良影响。

发明内容

本发明就是为了解决上述这样的问题而提出的，其目的在于提供能够确保稳定的熔断特性，并且防止通常使用时的熔断部的损耗增大的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内，将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。

发明的效果

根据本发明，能够提供确保稳定的熔断特性，并且防止通常使用时的熔断部的损耗增大的半导体装置。

本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图变得更清楚。

附图说明

图1是表示实施方式1中的半导体装置的结构的俯视图。

图2是表示实施方式2中的半导体装置的结构的俯视图。

图3是表示实施方式3中的半导体装置的熔断部的结构的俯视图。

图4是表示实施方式3中的半导体装置的熔断部的结构的俯视图。

图5是表示实施方式3中的nout与ΔI之间的关系的图。

标号的说明

1绝缘基板，2电路图案，3半导体元件，5端子电极，6熔断部，7金属线，8金属线，9内部配线，10壳体。

具体实施方式

＜实施方式1＞

图1是表示实施方式1中的半导体装置的结构的俯视图。半导体装置包含绝缘基板1、壳体10、半导体元件3、端子电极5以及内部配线9。