[发明专利]一种三维NAND存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010185973.2 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111370410B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张保;李春龙;洪培真;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10B53/20;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种三维NAND存储器及其制造方法，在衬底上可以形成有第一介质层和牺牲层构成的堆叠层，堆叠层中可以形成有贯穿至衬底的沟道孔，沟道孔中形成有沟道层，在沟道孔的开口处形成有与沟道层接触的漏极层，去除牺牲层后，可以在第一介质层上表面以及沟道层的外侧壁上依次形成第二介质层、存储层、金属层，而后利用刻蚀工艺形成贯穿至衬底的源极引出孔，这样衬底作为源极，漏极层作为漏极，金属层作为栅极，构成三维NAND存储器。这种器件中，第二介质层、存储层和金属层均设置于沟道孔外部，相比较于将这些膜层填充至沟道孔侧壁的器件而言，本申请实施例形成的膜层具有更高的均匀性和可靠性，形成的器件也具有较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 nand 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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