[发明专利]一种三维NAND存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维NAND存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；所述衬底上形成有第一介质层和牺牲层构成的堆叠层，所述堆叠层中形成有贯穿至所述衬底的沟道孔，所述沟道孔中形成有沟道层，所述沟道孔开口处形成有与所述沟道层接触的漏极层；

去除所述牺牲层；在所述第一介质层的上表面和所述沟道层的外侧壁，依次形成第二介质层、存储层和金属层；所述第二介质层、所述存储层和所述金属层均位于所述沟道孔外；

利用刻蚀工艺形成贯穿至衬底的源极引出孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一介质层的上表面和所述沟道层的外侧壁，依次形成第二介质层、存储层和金属层，包括：

依次沉积第二介质材料、存储材料和金属材料，以覆盖所述第一介质层上表面、所述沟道层和所述漏极层的外侧壁，以及所述漏极层的上表面；

利用平坦化工艺，去除所述漏极层的上表面的所述金属材料、所述存储材料和所述第二介质材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述源极引出孔之前，所述方法还包括：

形成覆盖所述第二介质层、所述存储层、所述金属层和所述漏极层的保护层；

所述方法还包括：

对所述保护层进行刻蚀，得到贯穿至所述漏极层的漏极引出孔以及贯穿至所述金属层的栅极引出孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述源极引出孔、所述漏极引出孔和所述栅极引出孔中分别形成源极接触塞、漏极接触塞和栅极接触塞。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述牺牲层为氮化硅，所述沟道层为多晶硅，所述漏极层为掺杂的多晶硅，所述第一介质层、所述第二介质层和所述保护层为氧化硅。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述存储层为铁电材料。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述沟道层形成于所述沟道孔的内壁，所述沟道孔中还填充有填充层；所述沟道层、所述填充层和所述漏极层通过以下过程形成：

依次沉积沟道材料和填充材料，并进行平坦化工艺，以形成与所述沟道孔侧壁和底部接触的沟道层，以及与所述沟道层侧壁和底部接触的填充层；

对所述沟道孔中的沟道层和填充层进行回刻，以在所述沟道孔的开口处形成盲孔；

在所述盲孔中形成漏极层。

8.一种三维NAND存储器，其特征在于，包括：

衬底；所述衬底上形成有第一介质层；所述第一介质层中形成有沟道孔，所述沟道孔中形成有沟道层，所述沟道层的上表面高于所述第一介质层，所述沟道层的上部形成有漏极层，所述漏极层与所述沟道层接触；

依次形成于所述第一介质层的上表面和所述沟道层的外侧壁的第二介质层、存储层和金属层；所述第二介质层、所述存储层和所述金属层均位于所述沟道孔外；

贯穿至衬底的源极引出孔。

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

覆盖所述第二介质层、所述存储层、所述金属层和所述漏极层的保护层；

贯穿所述保护层至所述漏极层的漏极引出孔，以及贯穿所述保护层至所述金属层的栅极引出孔。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

分别形成于所述源极引出孔、所述漏极引出孔和所述栅极引出孔中的源极接触塞、漏极接触塞和栅极接触塞。