[发明专利]用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构在审
| 申请号： | 202010175178.5 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111798914A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | M·姚;M·F·卡瓦纳霍尔曼;E·H·坎农 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李艳兵 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构，并公开一种用于测量一个或多个静态随机存取存储器(SRAM)单元的静态噪声容限(SNM)的测试结构，其可以包括电耦合到每个SRAM单元的第一晶体管门(TG)和第二TG。在实施方式中，可以使用切断器将SRAM单元的第一反相器的输出和第二反相器的输入之间的互连电断开。在SRAM单元的操作期间，SRAM单元内的内部存储节点可以通过第一TG和第二TG电耦合到例如外部引脚和测试装置。可以通过外部引脚在内部存储节点处测量电参数，诸如电压，并将其用于计算SRAM单元的SNM。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 静态 随机存取存储器 噪声 容限 直接 测试 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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