[发明专利]用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构

权利要求书

1.一种用于直接测量集成电路器件即IC器件中的一个或多个静态随机存取存储器单元即SRAM单元的稳定性的测试结构(100、200、400、500、600、700、800、900)，对于一个或多个SRAM单元(106、206、206'，206”、300、350、406、506、606、706、806、906)的每个SRAM单元(406、506)，所述测试结构(100、200、400、500、600、700、800、900)包含：

第一传输门即第一TG(102、104、232、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')，其电耦合到所述SRAM单元(406、506)中的切断器的第一侧；

第二TG(102、104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')，其电耦合到所述切断器的第二侧；

电耦合到所述第一TG(102、104、232、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')的第一外部引脚(150)，和电耦合到所述第二TG(102、104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')的第二外部引脚(152)；以及

电耦合到所述第一TG(102、104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')的第一内部节点，和电耦合到所述第二TG(102、104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')的第二内部节点，其中：

所述切断器在所述切断器的所述第一侧和所述切断器的所述第二侧之间提供电断开；并且

所述第一内部节点电耦合到所述第一外部引脚(150)，并且所述第二内部节点电耦合到所述第二外部引脚(152)。

2.根据权利要求1所述的测试结构(100、200、400、500、600、700、800、900)，其中所述IC器件是以互补金属氧化物半导体工艺即CMOS工艺制造的。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的测试结构(100、200、400、500、600、700、800、900)，其中所述第一内部节点通过所述第一TG(104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')电耦合到所述第一外部引脚(150)，并且所述第二内部节点通过所述第二TG(102、104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')电耦合到所述第二外部引脚(152)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的测试结构(100、200、400、500、600、700、800、900)，其中所述第一TG(102、104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')、所述第二TG(102、104、302、302'、304、304'、402、404、502、504、602、604、702、704、802、804、902、902'、904、904')和所述SRAM单元(406、506)各自包含相同的晶体管(956、964、972、980)类型。