[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010174271.4 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326525B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张红;李思晢;卢峰;高晶;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件的制造方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构的沟道孔与伪沟道孔；分别在沟道孔与伪沟道孔的内表面形成堆叠的栅介质层、电荷存储层、隧穿介质层以及半导体牺牲层，衬底与半导体牺牲层至少被栅介质层、电荷存储层以及隧穿介质层分隔；在伪沟道孔上方形成阻挡层，阻挡层封闭伪沟道孔；形成贯穿半导体牺牲层、隧穿介质层、电荷存储层以及栅介质层形成的通孔，通孔位于沟道孔底部；形成通孔后，删除阻挡层，其中，在形成通孔时，阻挡层至少保护位于伪沟道孔底部的半导体牺牲层、隧穿介质层、电荷存储层以及栅介质层不被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010174271.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种警用手铐
- 下一篇：一种艳山姜精油的提取方法
