[发明专利]发光二极管结构在审
申请号: | 202010151258.7 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN113363367A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 陈书伟;倪庆怀;黄国维;郭家彰 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种发光二极管结构包括基板、框体、发光二极管芯片以及透光层。框体位于基板上且与基板共同构成一凹部,框体具有20%至40%的光反射率。发光二极管芯片位于凹部内的基板上。透光层填入凹部内以覆盖发光二极管芯片,其中发光二极管芯片的侧面发光强度大于其顶面发光强度。本案的能发光二极管结构能进一步扩大发光角度。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】:
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