[发明专利]发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

一基板；

一框体，位于该基板上且与该基板共同构成一凹部，该框体具有20％至40％的光反射率；

一发光二极管芯片，位于该凹部内的该基板上；以及

一透光层，填入该凹部内以覆盖该发光二极管芯片，其中该发光二极管芯片的侧面发光强度大于其顶面发光强度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该框体具有介于1.41至1.6间的折射率。

3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该框体包含10％至50％的长形纤维。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该框体包含聚对苯二甲酸环乙酯、芳香环接合高级脂肪锁聚合半芳香族尼龙树脂、聚邻苯二甲酰胺至少其中一种。

5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该透光层的顶面低于或高于该框体的顶端所形成的延伸线。

6.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该透光层包含硅质材料。

7.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，该硅质材料包含苯基硅树脂以及甲基硅树脂至少其中一种。

8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管芯片的底面连接于该基板，该发光二极管芯片的底面为一光反射面。

9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管芯片的侧面发光强度与其顶面发光强度差异介于10％至60％。

10.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管芯片是覆晶连接于或以导线连接于该基板。