[发明专利]发光二极管结构

说明书

一种发光二极管结构包括基板、框体、发光二极管芯片以及透光层。框体位于基板上且与基板共同构成一凹部，框体具有20％至40％的光反射率。发光二极管芯片位于凹部内的基板上。透光层填入凹部内以覆盖发光二极管芯片，其中发光二极管芯片的侧面发光强度大于其顶面发光强度。本案的能发光二极管结构能进一步扩大发光角度。

技术领域

本发明是关于一种发光二极管结构。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是半导体材料制成的发光元件，可将电能转换成光，其具有体积小、能量转换效率高、寿命长、省电等优点，因此广泛应用于各式电子装置的光源。

当多个发光二极管用作显示器的背光源时，如何使背光模块减少亮暗不均的现象是各供应商亟欲解决的问题。

发明内容

本发明提出一种创新的发光二极管结构，解决先前技术的问题。

于本发明的一实施例中，一种发光二极管结构包括基板、框体、发光二极管芯片以及透光层。框体位于基板上且与基板共同构成一凹部，框体具有20％至40％的光反射率。发光二极管芯片位于凹部内的基板上。透光层填入凹部内以覆盖发光二极管芯片，其中发光二极管芯片的侧面发光强度大于其顶面发光强度。

于本发明的一实施例中，框体具有介于1.41至1.6间的折射率。

于本发明的一实施例中，框体包含10％至50％的长形纤维。

于本发明的一实施例中，框体包含聚对苯二甲酸环乙酯、芳香环接合高级脂肪锁聚合半芳香族尼龙树脂、聚邻苯二甲酰胺至少其中一种。

于本发明的一实施例中，透光层的顶面低于或高于该框体的顶端所形成的延伸线。

于本发明的一实施例中，透光层包含硅质材料。

于本发明的一实施例中，硅质材料包含苯基硅树脂以及甲基硅树脂至少其中一种。

于本发明的一实施例中，发光二极管芯片的底面连接于该基板，该发光二极管芯片的底面为一光反射面。

于本发明的一实施例中，发光二极管芯片的侧面发光强度与其顶面发光强度差异介于10％至60％。

于本发明的一实施例中，发光二极管芯片是覆晶连接于或以导线连接于基板。

综上所述，本发明的的发光二极管结构藉其低反射率的凹杯框体以及侧面发光大于顶面发光的发光二极管芯片，能进一步扩大发光角度，使得发光二极管结构作为显示器的背光源时，能有效改善背光模块亮暗不均的现象。

以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供更进一步的解释。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1是绘示依照本发明一实施例的一种发光二极管结构的剖面图；

图2是绘示依照本发明一实施例的发光二极管芯片的示意图；

图3是绘示依照本发明另一实施例的一种发光二极管结构的剖面图；

图4是绘示依照本发明一实施例的一种发光二极管结构发光角度与照度的关系图；

图5是绘示依照本发明另一实施例的一种发光二极管结构发光角度与照度的关系图；以及

图6是绘示依照本发明另一实施例的一种发光二极管结构发光角度与照度的关系图。

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附符号的说明如下：

100a:发光二极管结构