[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010145996.0 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN112349765A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 藤农佑树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备包含第1导电型的第1层的半导体部、设置于半导体部的背面侧的第1电极、设置于表面侧的第2电极、选择性设置于第2电极与半导体部之间的控制电极和将第2电极与半导体部电连接的接触部。半导体部进一步包含选择性设置于第1层与第2电极之间的第2导电型的第2层、选择性设置于第2层与第2电极之间的第1导电型的第3层、和选择性地设置于第2层与第2电极之间且包含与第2层的第2导电型杂质相比高浓度的第2导电型杂质的第2导电型的第4层。接触部包含与第3层相接并且被电连接的第1导电型的第1半导体区域和与第4层相接并且被电连接的第2导电型的第2半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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