[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

半导体部，该半导体部包含第1导电型的第1半导体层；

第1电极，该第1电极设置于所述半导体部的背面侧；

第2电极，该第2电极设置于所述半导体部的表面侧；

控制电极，该控制电极选择性地设置于所述第2电极与所述半导体部之间，介由第1绝缘膜与所述半导体部电绝缘，且介由第2绝缘膜与所述第2电极电绝缘；和

接触部，该接触部将所述第2电极与所述半导体部电连接，

所述半导体部进一步包含：选择性设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的第2导电型的第2半导体层、选择性设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间的第1导电型的第3半导体层、和选择性地设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间且包含与所述第2半导体层的第2导电型杂质相比高浓度的第2导电型杂质的第2导电型的第4半导体层，

所述控制电极按照介由所述第1绝缘膜与所述第2半导体层相对的方式配置，

所述接触部包含与所述第3半导体层相接并且被电连接的第1导电型的第1半导体区域、和与所述第4半导体层相接并且被电连接的第2导电型的第2半导体区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触部及所述半导体部包含铂(Pt)、钌(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)及金(Au)中的至少1种元素。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触部贯穿所述第2绝缘膜在从所述第2电极朝向所述半导体部的方向上延伸，

所述第1半导体区域位于所述第2绝缘膜与所述第2半导体区域之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触部包含位于所述第1半导体区域与所述第2电极之间及所述第2半导体区域与所述第2电极之间的硅化物区域，

所述硅化物区域与所述第2电极相接并且被电连接，包含铂(Pt)、钌(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)及金(Au)中的至少1种元素。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体部进一步包含所述第1导电型的第5半导体层，

所述第5半导体层选择性地设置于所述第1半导体层与所述控制电极之间，包含与所述第1半导体层的第1导电型杂质的浓度相比高浓度的第1导电型杂质，

所述第2半导体层包含位于所述第3半导体层与所述第5半导体层之间的部分。

6.一种半导体装置，其具备：

半导体部，该半导体部包含第1导电型的第1半导体层；

第1电极，该第1电极设置于所述半导体部的背面侧；

第2电极，该第2电极设置于所述半导体部的表面侧；

控制电极，该控制电极选择性地设置于所述第2电极与所述半导体部之间，介由第1绝缘膜与所述半导体部电绝缘，且介由第2绝缘膜与所述第2电极电绝缘；和

接触部，该接触部将所述第2电极与所述半导体部电连接，

所述半导体部进一步包含：选择性设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的第2导电型的第2半导体层、选择性设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间的第1导电型的第3半导体层、和选择性地设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间且包含与所述第2半导体层的第2导电型杂质相比高浓度的第2导电型杂质的第2导电型的第4半导体层，

所述控制电极按照介由所述第1绝缘膜与所述第1半导体层及所述第2半导体层相对的方式配置，

所述接触部包含与所述第3半导体层及所述第4半导体层相接并且被电连接的半导体区域，

所述半导体区域及所述半导体部包含铂(Pt)、钌(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)及金(Au)中的至少1种元素。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第2半导体层包含所述至少1种元素。