[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备包含第1导电型的第1层的半导体部、设置于半导体部的背面侧的第1电极、设置于表面侧的第2电极、选择性设置于第2电极与半导体部之间的控制电极和将第2电极与半导体部电连接的接触部。半导体部进一步包含选择性设置于第1层与第2电极之间的第2导电型的第2层、选择性设置于第2层与第2电极之间的第1导电型的第3层、和选择性地设置于第2层与第2电极之间且包含与第2层的第2导电型杂质相比高浓度的第2导电型杂质的第2导电型的第4层。接触部包含与第3层相接并且被电连接的第1导电型的第1半导体区域和与第4层相接并且被电连接的第2导电型的第2半导体区域。

关联申请

本申请享有以日本专利申请2019-145332号(申请日：2019年8月7日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

有使重金属在半导体中扩散而缩短了载流子的寿命的半导体装置。例如在具有MOS结构的半导体装置中，若使重金属从MOS结构侧的表面扩散，则半导体层中的重金属的浓度容易变得不均匀。

发明内容

实施方式提供能够抑制半导体层中的重金属的浓度变动的半导体装置及其制造方法。

实施方式的半导体装置具备：包含第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于上述半导体部的背面侧的第1电极、设置于上述半导体部的表面侧的第2电极、选择性地设置于上述第2电极与上述半导体部之间且介由第1绝缘膜与上述半导体部电绝缘且介由第2绝缘膜与上述第2电极电绝缘的控制电极、和将上述第2电极与上述半导体部电连接的接触部。上述半导体部进一步包含：选择性设置于上述第1半导体层与上述第2电极之间的第2导电型的第2半导体层、选择性设置于上述第2半导体层与上述第2电极之间的第1导电型的第3半导体层、和选择性地设置于上述第2半导体层与上述第2电极之间且包含与上述第2半导体层的第2导电型杂质相比高浓度的第2导电型杂质的第2导电型的第4半导体层。上述控制电极按照介由上述第1绝缘膜与上述第1半导体层及上述第2半导体层相对的方式配置。上述接触部包含与上述第3半导体层相接并且被电连接的第1导电型的第1半导体区域、和与上述第4半导体层相接并且被电连接的第2导电型的第2半导体区域。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的示意截面图。

图2A～图5B是表示实施方式的半导体装置的制造过程的示意截面图。

图6A及B是表示实施方式的第1变形例的半导体装置的制造过程的示意截面图。

图7A～C是表示实施方式的第2变形例的半导体装置的制造过程的示意截面图。

图8A～D是表示实施方式的第3变形例的半导体装置的制造过程的示意截面图。

图9A及B是表示实施方式的第3变形例的半导体装置的特性的示意截面图。

图10是表示实施方式的第4变形例的半导体装置的示意截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。对于附图中的同一部分标注同一序号并适当省略其详细说明，对不同的部分进行说明。需要说明的是，附图是示意性图或概念性图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实的情况相同。另外，即使是表示相同部分的情况下，也有根据附图而彼此的尺寸或比率被不同表现的情况。

进而，使用各图中所示的X轴、Y轴及Z轴对各部分的配置及构成进行说明。X轴、Y轴、Z轴彼此正交，分别表示X方向、Y方向、Z方向。另外，有时以Z方向作为上方、以其相反方向作为下方进行说明。