[发明专利]FinFET器件及其成型方法在审
| 申请号： | 202010130000.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327895A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 林昱佑 | 申请（专利权）人： | 广东汉岂工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种FinFET器件及其成型方法。FinFET器件的成型方法包括以下步骤：步骤S1、采用半导体材料形成衬底(100)；步骤S2、通过蚀刻衬底(100)，形成多个鳍片(200)；其中，鳍片(200)具有多种形状；步骤S3、形成多个栅极结构(300)，使得所述鳍片(200)与多个栅极结构(300)中的一个栅极结构(300)对应，所述鳍片(200)插设在对应的栅极结构(300)中；其中，鳍片(200)的与栅极结构(300)接触的表面构成鳍片通道；不同形状的鳍片(200)的鳍片通道具有不同的宽度。本发明的FinFET器件及其成型方法设计新颖，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 成型 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
