[发明专利]FinFET器件及其成型方法

权利要求书

1.一种FinFET器件的成型方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、采用半导体材料形成衬底(100)；

步骤S2、通过蚀刻衬底(100)，形成多个鳍片(200)；其中，鳍片(200)具有多种形状；

步骤S3、形成多个栅极结构(300)，使得所述鳍片(200)与多个栅极结构(300)中的一个栅极结构(300)对应，所述鳍片(200)插设在对应的栅极结构(300)中；其中，鳍片(200)的与栅极结构(300)接触的表面构成鳍片通道；不同形状的鳍片(200)的鳍片通道具有不同的宽度。

2.根据权利要求1所述的FinFET器件的成型方法，其特征在于，在步骤S2中，利用硬掩模(500)蚀刻衬底(100)，并通过预先调整所选硬掩模(500)上蚀刻图案的方式调整由蚀刻衬底(100)所形成鳍片(200)的形状，以使鳍片(200)具有多种形状。

3.根据权利要求1所述的FinFET器件的成型方法，其特征在于，在步骤S3中，形成多个栅极结构(300)的步骤包括以下步骤：

在衬底(100)上形成氧化物层(400)，并使该氧化物层(400)达到鳍片(200)一定高度；然后在氧化物层(400)上沉积形成栅极材料层，并使该栅极材料层覆盖鳍片(200)；蚀刻栅极材料层，从而将栅极材料层分割为多个栅极结构(300)。

4.根据权利要求1所述的FinFET器件的成型方法，其特征在于，步骤S1还包括：在衬底(100)上形成带有多个氮化硅层(600)的硬掩模(500)；

步骤S2包括：

通过蚀刻带有硬掩模(500)的衬底(100)，形成多个鳍片(200)。

5.根据权利要求4所述的FinFET器件的成型方法，其特征在于，氮化硅层(600)包括芯棒(610)以及包裹芯棒(610)的包裹物(620)；

在多个氮化硅层(600)中，邻近两个氮化硅层(600)之间的间距不完全一致。

6.根据权利要求4所述的FinFET器件的成型方法，其特征在于，氮化硅层(600)包括芯棒(610)以及包裹芯棒(610)的包裹物(620)；

多个氮化硅层(600)采用不完全一致的宽度。

7.根据权利要求4所述的FinFET器件的成型方法，其特征在于，芯棒(610)采用A-Si制成，包裹物(620)采用SiN制成。

8.一种FinFET器件，其特征在于，包括由半导体材料制成的衬底(100)、由半导体材料在衬底(100)上形成的多个鳍片(200)、多个栅极结构(300)；所述鳍片(200)与多个栅极结构(300)中的一个栅极结构(300)对应，所述鳍片(200)插设在对应的栅极结构(300)中；鳍片(200)的与栅极结构(300)接触的表面构成鳍片通道；鳍片(200)有多种形状，不同形状的鳍片(200)的鳍片通道具有不同的宽度。

9.根据权利要求8所述的FinFET器件，其特征在于，FinFET器件还包括形成于衬底(100)上并达到鳍片(200)一定高度的氧化物层(400)。