[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010118139.1 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111640702B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 名久井勇辉;五十岚维月;齐藤明;冈本直树;栗原芳弘 | 申请（专利权）人： | 捷进科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种从对裸芯片的低压力性或高速拾取性的观点考虑能够以最佳的时序控制顶推单元的半导体制造装置及半导体器件的制造方法。半导体制造装置具备：顶推单元，其从上述切割带的下方顶推裸芯片，具有与切割带接触的多个块；筒夹，其吸附上述裸芯片；和控制部，其构成为，对于使上述顶推单元的特性再现的剥离模型，以使上述剥离模型的输出追从于上述裸芯片从上述切割带的剥离量和上述裸芯片整体的弯曲应力的目标值的方式进行反馈控制，使作为向上述剥离模型的控制输入的顶推量成为上述顶推单元的上述块的顶推量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
