[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：

顶推单元，其从切割带的下方顶推裸芯片，并具有与所述切割带接触的多个块；

筒夹，其吸附所述裸芯片；和

控制部，其构成为，对于使所述顶推单元的特性再现的剥离模型，以使所述剥离模型的输出追从于所述裸芯片从所述切割带的剥离量和所述裸芯片的整体的弯曲应力的目标值的方式进行反馈控制，使作为向所述剥离模型的控制输入的顶推量成为所述顶推单元的所述块的顶推量。

2.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述剥离模型包含基于切割带的粘接材料的贴附力和所述粘接材料的粘接材料模型而计算的所述粘接材料的变形量，其中所述切割带的粘接材料的贴附力是基于所述块的顶推量、所述块的宽度及所述裸芯片的杨氏模量而计算的。

3.如权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述粘接材料模型包含弹性常数及阻尼常数。

4.如权利要求3所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述剥离模型具有：

在顶推量为规定值以上时开始剥离的特性；

从剥离开始随着剥离进行而剥离加速的特性；和

通过改变所述粘接材料的参数而剥离开始的顶推量及剥离进行速度发生变化的特性。

5.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述控制部构成为，在使所述多个块中的外侧的块上升而达到了顶推量的极大值后，使所述顶推量减少，且使所述外侧的块的相邻的内侧的块上升。

6.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述控制部构成为，在使所述多个块中的外侧的块上升而达到了顶推量的极大值后，使所述顶推量减少而达到了顶推量的极小值，之后使所述顶推量增加，且使所述外侧的块的相邻的内侧的块上升。

7.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述顶推单元构成为，与所述多个块相对应地具有独立的多个驱动轴，能够可编程地设定所述块的顶推速度及顶推量。

8.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述裸芯片在所述裸芯片与所述切割带之间还具备芯片粘结膜。

9.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

还具备拾取头，所述筒夹安装于所述拾取头。

10.如权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于，

还具备：

载置通过所述拾取头拾取的裸芯片的中间载台；和

将载置于所述中间载台的裸芯片贴装到基板或已经贴装好的裸芯片上的贴装头。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：

(a)工序，将保持切割带的晶片环搬入到半导体制造装置，其中该半导体制造装置具备：具有与所述切割带接触的多个块且从所述切割带的下方顶推裸芯片的顶推单元、和吸附所述裸芯片的筒夹；以及

(b)工序，通过所述顶推单元顶推所述裸芯片且通过所述筒夹拾取所述裸芯片，

所述(b)工序中，对于使所述顶推单元的特性再现的剥离模型，以使所述剥离模型的输出追从于所述裸芯片从所述切割带的剥离量和所述裸芯片的整体的弯曲应力的目标值的方式进行反馈控制，使作为向所述剥离模型的控制输入的顶推量成为所述顶推单元的所述块的顶推量而顶推所述裸芯片。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述(b)工序中，在使所述多个块中的外侧的块上升而达到了顶推量的极大值后，使所述顶推量减少，且使所述外侧的块的相邻的内侧的块上升。