[发明专利]非挥发性存储组件及其制造方法有效
申请号: | 202010108951.6 | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN113299657B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 李国隆;潘志豪;王思苹;陈柏瑄;黄启政 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H10B43/00 | 分类号: | H10B43/00;H10B43/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种非挥发性存储组件及其制造方法,其中该非挥发性存储组件包括基板。第一栅极结构设置在所述基板上。第二栅极结构设置在所述基板上。存储栅极结构设置在所述基板上在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间,且也至少覆盖在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构上。所述存储栅极结构包含:电荷存储层设置在所述基板上;以及存储栅极层设置在所述电荷存储层上。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 存储 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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