[发明专利]非挥发性存储组件及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储组件，其特征在于，包括:

基板；

第一栅极结构，设置在所述基板上；

第二栅极结构，设置在所述基板上；

存储栅极结构，设置在所述基板上在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，且也至少覆盖在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构上，其中所述存储栅极结构包含:

电荷存储层，设置在所述基板上，其中在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间的所述电荷存储层是连续结构；以及

存储栅极层，设置在所述电荷存储层上且覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的上部表面的至少一部分，其中所述存储栅极结构的侧壁切齐所述电荷存储层的侧壁。

2.根据权利要求1所述的非挥发性存储组件，其特征在于，所述电荷存储层是氧化物/氮化物/氧化物(ONO)结构。

3.根据权利要求1所述的非挥发性存储组件，其特征在于，还包括间隙壁在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的侧壁上，被所述电荷存储层覆盖。

4.根据权利要求1所述的非挥发性存储组件，其特征在于，所述存储栅极结构是填入在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间的凹陷，其中所述存储栅极结构的侧部区域是提升部分，以覆盖过所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的上部表面的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的非挥发性存储组件，其特征在于，还包括第三栅极构，设置在所述基板上。

6.根据权利要求1所述的非挥发性存储组件，其特征在于，其中所述第一栅极结构是用以传递对应二进制数据的电压值到所述存储栅极结构，以及所述第二栅极结构是用以输出所述二进制数据。

7.一种制造非挥发性存储组件的方法，其特征在于，包括:

提供基板；

形成第一栅极结构与第二栅极结构在所述基板上；

形成电荷存储层，覆盖过所述第一栅极结构、所述第二栅极结构以及所述基板；

形成存储栅极层在所述电荷存储层上；以及

定义所述存储栅极层与所述电荷存储层，以形成存储栅极结构，其中在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间的所述电荷存储层是连续结构，所述存储栅极结构至少覆盖所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的上部表面的至少一部分，其中所述存储栅极层的侧壁切齐所述电荷存储层的侧壁。

8.根据权利要求7所述的制造非挥发性存储组件的方法，其特征在于，所述电荷存储层是氧化物/氮化物/氧化物(ONO)结构。

9.根据权利要求7所述的制造非挥发性存储组件的方法，其特征在于，在定义所述存储栅极层与所述电荷存储层的步骤中包括使用相同的掩模层。

10.根据权利要求7所述的制造非挥发性存储组件的方法，其特征在于，还包括形成间隙壁在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的侧壁上，被所述电荷存储层覆盖。

11.根据权利要求7所述的制造非挥发性存储组件的方法，其特征在于，所述存储栅极结构是填入在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间的凹陷，其中所述存储栅极结构的侧部区域是提升部分，以覆盖过所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的上部表面的至少一部分。

12.根据权利要求7所述的制造非挥发性存储组件的方法，其特征在于，还包括第三栅极构，设置在所述基板上。

13.根据权利要求7所述的制造非挥发性存储组件的方法，其特征在于，所述第一栅极结构是用以传递对应二进制数据的电压值到所述存储栅极结构，以及所述第二栅极结构是用以输出所述二进制数据。