[发明专利]非挥发性存储组件及其制造方法

说明书

本发明公开一种非挥发性存储组件及其制造方法，其中该非挥发性存储组件包括基板。第一栅极结构设置在所述基板上。第二栅极结构设置在所述基板上。存储栅极结构设置在所述基板上在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，且也至少覆盖在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构上。所述存储栅极结构包含:电荷存储层设置在所述基板上；以及存储栅极层设置在所述电荷存储层上。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术，且特别是涉及非挥发性存储组件及其制造方法。

背景技术

非挥发性存储组件是很普遍的存储组件，可以用来存储数据。然而因应维持小体积但是有大存储容量的需求，非挥发性存储组件的结构设计也持续在研发。

对于非挥发性存储组件的结构可以有多种应用，其会与周边包含逻辑电路等的应用电路结合达到更多功能的有用。非挥发性存储组件是用来存储二进制数据，但是其结构会有多种设计，其中配合操作机制的不同，其对右的结构也会有不同的设计。例如非挥发性存储组件与周边电路的结合的架构下，其制造流程会涉及较多的工艺。

如何设计非挥发性存储组件的结构以能简化制造流程是技术研发所需要考虑的课题。

发明内容

本发明提出非挥发性存储组件及其制造方法，其是包含三个栅极结构的非挥发性存储组件，其例如在与周边电路整体制造时，例如可以节省一些形成掩模层的工艺，可以简化制造流程。

在一实施例中，本发明提出一种非挥发性存存储组件。非挥发性存储组件包括基板。第一栅极结构设置在所述基板上。第二栅极结构设置在所述基板上。存储栅极结构设置在所述基板上在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，且也至少覆盖在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构上。所述存储栅极结构包含:电荷存储层设置在所述基板上；以及存储栅极层设置在所述电荷存储层上。

在一实施例中，对于所述的非挥发性存储组件，所述电荷存储层是氧化物/氮化物/氧化物结构。

在一实施例中，对于所述的非挥发性存储组件，所述存储栅极层与所述电荷存储层在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构上的侧壁是对准的。

在一实施例中，对于所述的非挥发性存储组件，所述存储栅极层与所述电荷存储层覆盖过所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的上部表面的至少一部分。

在一实施例中，对于所述的非挥发性存储组件，其还包括间隙壁在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的侧壁上，被所述电荷存储层覆盖。

在一实施例中，对于所述的非挥发性存储组件，所述存储栅极结构是填入在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间的凹陷，其中所述存储栅极结构的侧部区域是提升部分，以覆盖过所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的上部表面的至少一部分。

在一实施例中，对于所述的非挥发性存储组件，其还包括第三栅极构，设置在所述基板上。

在一实施例中，对于所述的非挥发性存储组件，其中所述第一栅极结构是用以传递对应二进制数据的电压值到所述存储栅极结构，以及所述第二栅极结构是用以输出所述二进制数据。

在一实施例中，本发明还提出一种制造非挥发性存储组件的方法，包括提供基板。形成第一栅极结构与第二栅极结构在所述基板上。形成电荷存储层，覆盖过所述第一栅极结构、所述第二栅极结构以及所述基板。形成存储栅极层在所述电荷存储层上。定义所述存储栅极层与所述电荷存储层，以形成存储栅极结构，其中存储栅极结构至少覆盖在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构上。

在一实施例中，对于所述的制造非挥发性存储组件的方法，所述电荷存储层是氧化物/氮化物/氧化物(ONO)结构。

在一实施例中，对于所述的制造非挥发性存储组件的方法，在定义所述存储栅极层与所述电荷存储层的步骤中包括使用相同的掩模层。