[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010106492.8 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112466946A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 小岛秀伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在背面侧具有厚的金属层但也能够容易地芯片化的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体部；金属层，覆盖半导体部的背面；第1电极，设置于半导体部的表面上；第2电极，在半导体部的表面上与第1电极并排地配置；第1控制电极，设置于第1电极与半导体部之间；第1绝缘膜，将第1控制电极从半导体部电绝缘；第2控制电极，设置于第2电极与半导体部之间；第2绝缘膜，将第2控制电极从半导体部电绝缘；以及第3绝缘膜，将第1控制电极从第1电极电绝缘，并将第2控制电极从第2电极电绝缘。金属层包括：与半导体部电连接的第1层；和比第1层厚的第2层，在第1层上选择性地设置于比第1层的外缘靠内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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