[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

提供在背面侧具有厚的金属层但也能够容易地芯片化的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体部；金属层，覆盖半导体部的背面；第1电极，设置于半导体部的表面上；第2电极，在半导体部的表面上与第1电极并排地配置；第1控制电极，设置于第1电极与半导体部之间；第1绝缘膜，将第1控制电极从半导体部电绝缘；第2控制电极，设置于第2电极与半导体部之间；第2绝缘膜，将第2控制电极从半导体部电绝缘；以及第3绝缘膜，将第1控制电极从第1电极电绝缘，并将第2控制电极从第2电极电绝缘。金属层包括：与半导体部电连接的第1层；和比第1层厚的第2层，在第1层上选择性地设置于比第1层的外缘靠内侧。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－163009号(申请日：2019年9月6日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

电力控制用的半导体装置希望具有低导通电阻。例如，有如下半导体装置，即，在半导体层的表面具有2个电极，通过MOS(Metal Oxide Semiconductor)栅极构造来控制经由半导体层在2个电极间流通的电流的半导体装置。在这样的半导体装置中，通过在半导体层的背面侧配置作为电流路径的厚的金属层，能够降低导通电阻。但是，若增厚背面侧的金属层，则半导体装置的芯片化变得困难。

发明内容

实施方式提供在背面侧具有厚的金属层但也能够容易地芯片化的半导体装置及其制造方法。

实施方式的半导体装置具备：半导体部；金属层，覆盖上述半导体部的背面；第1电极，设置于上述半导体部的表面上；第2电极，在上述半导体部的表面上与上述第1电极分离而配置；第1控制电极，设置于上述第1电极与上述半导体部之间；第1绝缘膜，将上述第1控制电极从上述半导体部电绝缘；第2控制电极，设置于上述第2电极与上述半导体部之间；第2绝缘膜，将上述第2控制电极从上述半导体部电绝缘；以及第3绝缘膜，将上述第1控制电极从上述第1电极电绝缘，并将上述第2控制电极从上述第2电极电绝缘。上述半导体部包括：第1导电型的第1半导体层，包括位于上述金属层与上述第1电极之间以及上述金属层与上述第2电极之间的部分；第2导电型的第2半导体层，设置于上述第1半导体层与上述第1电极之间，与上述第1电极电连接；第1导电型的第3半导体层，选择性地设置于上述第2半导体层与上述第1电极之间，与上述第1电极电连接；第2导电型的第4半导体层，设置于上述第1半导体层与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；以及第1导电型的第5半导体层，选择性地设置于上述第4半导体层与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接。上述第2半导体层隔着上述第1绝缘膜而与上述第1控制电极相对，上述第4半导体层隔着上述第2绝缘膜而与上述第2控制电极相对。上述金属层包括：第1层，与上述第1半导体层电连接；和第2层，在上述第1层上选择性地设置于比上述第1层的外缘靠内侧，比上述第1层厚。上述第2半导体层位于上述金属层的上述第2层与上述第1电极之间，上述第4半导体层位于上述金属层的上述第2层与上述第2电极之间。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2是表示实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图3是表示实施方式的半导体装置的动作的示意剖视图。

图4的(a)～图5的(d)是表示实施方式的半导体装置的制造过程的示意剖视图。

图6是表示实施方式的变形例的半导体装置的示意剖视图。

具体实施方式

以下，关于实施方式，使用附图进行说明。对图中的相同部分附以同一符号并适当省略其详细的说明，对不同的部分进行说明。另外，图是示意性的或者概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等，未必与现实的相同。另外，即使在表示相同的部分的情况下，也存在根据图而彼此的尺寸、比率不同而进行表示的情况。