[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部；

金属层，覆盖上述半导体部的背面；

第1电极，设置于上述半导体部的表面上；

第2电极，在上述半导体部的表面上与上述第1电极分离而配置；

第1控制电极，设置于上述第1电极与上述半导体部之间；

第1绝缘膜，将上述第1控制电极从上述半导体部电绝缘；

第2控制电极，设置于上述第2电极与上述半导体部之间；

第2绝缘膜，将上述第2控制电极从上述半导体部电绝缘；以及

第3绝缘膜，将上述第1控制电极从上述第1电极电绝缘，并将上述第2控制电极从上述第2电极电绝缘，

上述半导体部包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、第1导电型的第3半导体层、第2导电型的第4半导体层及第1导电型的第5半导体层，

上述第1半导体层，包括位于上述金属层与上述第1电极之间以及上述金属层与上述第2电极之间的部分，

上述第2半导体层，设置于上述第1半导体层与上述第1电极之间，与上述第1电极电连接，隔着上述第1绝缘膜而与上述第1控制电极相对，

上述第3半导体层，选择性地设置于上述第2半导体层与上述第1电极之间，与上述第1电极电连接，

上述第4半导体层，设置于上述第1半导体层与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接，隔着上述第2绝缘膜而与上述第2控制电极相对，

上述第5半导体层，选择性地设置于上述第4半导体层与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接，

上述金属层包括：第1层，与上述第1半导体层电连接；和第2层，在上述第1层上选择性地设置于比上述第1层的外缘靠内侧，比上述第1层厚，

上述第2半导体层位于上述金属层的上述第2层与上述第1电极之间，

上述第4半导体层位于上述金属层的上述第2层与上述第2电极之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属层具有沿着上述第2层的外缘而设置、且位于上述第1层与上述第2层之间的空间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属层还包括覆盖上述第2层、且比上述第2层薄的第3层。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述金属层还包括覆盖上述第2层、且比上述第2层薄的第3层。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属层还包括覆盖上述第1层以及上述第2层、且比上述第2层薄的第3层。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述金属层还包括覆盖上述第1层以及上述第2层、且比上述第2层薄的第3层。

7.如权利要求3～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述金属层的上述第1层以及上述第2层包含银，上述第3层包含镍。

8.一种半导体装置的制造方法，是权利要求1所述的半导体装置的制造方法，包括：

在上述半导体部的背面上形成上述金属层的上述第1层的工序；

形成将上述第1层选择性地覆盖的掩模层的工序；以及

使用上述掩模层，在上述第1层上选择性地形成上述第2层的工序，

被上述掩模层覆盖的上述第1层的区域位于上述第1层的上述外缘与上述第2层的外缘之间。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

还包括：使用上述掩模层，形成覆盖上述第2层且具有比上述第2层薄的膜厚的第3层的工序。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

还包括：在将上述掩模层去除后，形成覆盖上述第1层以及上述第2层且具有比上述第2层薄的膜厚的第3层的工序。

11.如权利要求8～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述第2层使用镀法选择性地形成于上述第1层上。