[发明专利]一种分离栅MOSFET的制作方法有效
| 申请号： | 202010100261.6 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111276394B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 顾昀浦;黄健;孙闫涛;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州京诺知识产权代理有限公司 44407 | 代理人： | 于睿虬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括步骤：步骤一、选取表面形成有硅外延层的硅衬底，并依次淀积第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层；步骤二、对硅外延层表面刻蚀形成沟槽；步骤三、去除第二氧化层；步骤四、形成分离栅氧化层；步骤五、在沟槽内形成分离栅多晶硅；步骤六、使分离栅多晶硅暴露于分离栅氧化层外；步骤七、去除分离栅多晶硅高出分离栅氧化层的部分；步骤八、去除氮化硅层和第一氧化层；步骤九、热氧化形成栅极氧化层，同时在分离栅多晶硅顶部形成多晶硅间隔离氧化层；步骤十、形成栅极多晶硅。本发明优化了多晶硅间隔离氧化层的形状，增加了其厚度，能够在栅极多晶硅和分离栅多晶硅之间形成良好的隔离，达到了降低漏电与降低寄生电容的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分离 mosfet 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
