[发明专利]制造多个芯片的方法在审
| 申请号： | 202010098584.6 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111599713A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 武田昇;荒川太朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/304;H01L21/78;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供制造多个芯片的方法，与通过仅对被加工物施加拉伸应力或基于负荷的应力而进行被加工物的分割的情况相比，降低产生加工不良的可能性。该制造多个芯片的方法具有如下的步骤：粘贴步骤，在被加工物上粘贴具有扩展性的带；盾构隧道形成步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于被加工物的内部的方式从被加工物的背面侧沿着各分割预定线照射该激光束，从而沿着各分割预定线形成分别具有细孔和围绕该细孔的变质区域的多个盾构隧道；以及分割步骤，在盾构隧道形成步骤之后，经由液体向该被加工物施加超声波并进行该带的扩展，从而沿着多条分割预定线将被加工物分割。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 芯片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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