[发明专利]制造多个芯片的方法在审

专利信息
申请号: 202010098584.6 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN111599713A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 武田昇;荒川太朗 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/304;H01L21/78;B23K26/53
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔婉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 芯片 方法
【权利要求书】:

1.一种制造多个芯片的方法,该方法将在正面侧具有由相互交叉的多条分割预定线划分的多个区域的被加工物沿着该多条分割预定线进行分割而制造多个芯片,其特征在于,

该方法具有如下的步骤:

粘贴步骤,在该被加工物上粘贴具有扩展性的带;

盾构隧道形成步骤,按照将对于该被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于该被加工物的内部的方式从该被加工物的背面侧沿着各分割预定线照射该激光束,从而沿着各分割预定线形成分别具有细孔和围绕该细孔的变质区域的多个盾构隧道;以及

分割步骤,在该盾构隧道形成步骤之后,经由液体向该被加工物施加超声波并进行该带的扩展,从而沿着该多条分割预定线将该被加工物分割。

2.根据权利要求1所述的制造多个芯片的方法,其特征在于,

在该分割步骤中,一边经由液体对该被加工物施加超声波一边对该带进行扩展,从而沿着该多条分割预定线将该被加工物分割。

3.根据权利要求1或2所述的制造多个芯片的方法,其特征在于,

该液体是水。

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