[发明专利]制造多个芯片的方法

说明书

提供制造多个芯片的方法，与通过仅对被加工物施加拉伸应力或基于负荷的应力而进行被加工物的分割的情况相比，降低产生加工不良的可能性。该制造多个芯片的方法具有如下的步骤：粘贴步骤，在被加工物上粘贴具有扩展性的带；盾构隧道形成步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于被加工物的内部的方式从被加工物的背面侧沿着各分割预定线照射该激光束，从而沿着各分割预定线形成分别具有细孔和围绕该细孔的变质区域的多个盾构隧道；以及分割步骤，在盾构隧道形成步骤之后，经由液体向该被加工物施加超声波并进行该带的扩展，从而沿着多条分割预定线将被加工物分割。

技术领域

本发明涉及对板状的被加工物进行加工而制造多个芯片的方法。

背景技术

作为沿着分割预定线对在正面侧形成有器件等的圆盘状的晶片等被加工物进行分割的方法，已知有在沿着分割预定线形成强度比其他区域低的改质层之后对被加工物施加外力的方法(例如参照专利文献1)。

为了形成改质层，例如按照将对于晶片具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光点定位于晶片的内部的方式沿着晶片的分割预定线照射激光束。由此，在晶片内部的聚光点附近产生多光子吸收，沿着分割预定线形成机械强度降低的改质层。

但是，例如为了沿着分割预定线对超过100μm的比较厚的晶片进行分割，通常需要按照在晶片的深度方向上重叠的方式形成多个改质层。例如在按照在晶片的深度方向上重叠的方式形成三个改质层的情况下，在将聚光点的深度位置定位于第1深度位置的状态下，沿着分割预定线照射激光束(第1通行)。

接着，在将聚光点的深度位置定位于比第1深度位置靠近正面侧的第2深度位置的状态下，沿着分割预定线照射激光束(第2通行)。进而，在将聚光点的深度位置定位于比第2深度位置靠近正面侧的第3深度位置的状态下，再次沿着分割预定线照射激光束(第3通行)。

这样，在形成改质层的方法中，通常需要沿着分割预定线进行多次通行的激光束的照射，因此存在加工花费时间的问题。因此，作为降低通行数的加工方法，提出了沿着晶片的分割预定线形成具有细孔和围绕细孔的变质区域的被称为盾构隧道的改质区域的方法(例如参照专利文献2)。

在沿着分割预定线形成盾构隧道的情况下，使用数值孔径(NA)除以晶片的折射率(N)而得的值(S(＝NA/N))例如为0.05以上且0.2以下的聚光透镜而对激光束进行会聚。在这样设定了S值之后，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于晶片的内部。

例如若将聚光区域定位于晶片的规定的深度而从晶片的背面侧照射1脉冲的激光束，则能够形成从晶片的正面到背面的一个盾构隧道。因此，若将聚光区域定位于规定的深度位置而沿着分割预定线照射多个脉冲的激光束(即，通过1次通行的激光束的照射)，则沿着分割预定线形成多个盾构隧道。

若像这样通过1次通行的激光束的照射而沿着分割预定线形成多个盾构隧道，则与按照在晶片的厚度方向上重叠的方式形成多个改质层的情况相比，具有能够降低加工所需的时间的优点。

专利文献1：日本特开2002-192367号公报

专利文献2：日本特开2014-221483号公报

作为沿着分割预定线可靠地对形成有多个盾构隧道的晶片进行分割的方法，例如有在晶片的正面侧粘贴具有扩展性的树脂制的片并将该片向晶片的径向拉伸的方法。晶片与片一起向径向的外侧拉伸而被分割。

另外，例如作为沿着分割预定线可靠地对形成有多个盾构隧道的晶片进行分割的方法，有将破拆刀等按压部件按压到分割预定线上而对晶片施加负荷的方法。晶片通过在分割预定线上沿厚度方向施加的应力而被分割。

但是，在这样仅对形成有多个盾构隧道的晶片(即被加工物)施加拉伸应力或基于负荷的应力而进行被加工物的分割的情况下，为了可靠地进行分割，需要对被加工物施加某一程度的较大的应力。因此，在被加工物上产生崩边或裂纹等加工不良的可能性提高。