[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010096134.3 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN112018179A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 姜承模;梁炆承;柳宗烈;李始炯;张星旭;崔恩憓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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