[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟道图案，所述沟道图案包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；

栅电极，所述栅电极覆盖所述沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，所述栅电极包括位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一栅极段；

栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖所述栅电极的侧表面，并且包括暴露所述沟道图案的开口；以及

第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于所述栅极间隔物的侧部，并且通过所述开口与所述沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：

在所述第一栅极段的高度处并且在所述开口的中心处的侧壁中心厚度；以及

在所述第一栅极段的所述高度处并且在所述开口的边缘处的侧壁边缘厚度，

其中，所述侧壁边缘厚度为所述侧壁中心厚度的0.7至1倍。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括有源图案，所述有源图案从所述衬底突出，并且位于所述沟道图案和所述第一源极/漏极图案下方，其中：

所述第一源极/漏极图案延伸为与所述有源图案接触，

所述第一源极/漏极图案在所述第一源极/漏极图案与所述有源图案接触的位置处具有底部厚度，并且

所述底部厚度大于所述侧壁中心厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁中心厚度随着距所述衬底的距离减小而增大。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第二源极/漏极图案，所述第二源极/漏极图案位于所述第一源极/漏极图案上，并且与所述沟道图案间隔开，

其中，所述第二源极/漏极图案的一部分插入到所述开口中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案均包含锗，所述第一源极/漏极图案的锗含量小于所述第二源极/漏极图案的锗含量。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述第一源极/漏极图案与所述第二源极/漏极图案之间的至少一个辅助源极/漏极图案，其中，

所述第一源极/漏极图案、所述第二源极/漏极图案和所述辅助源极/漏极图案包含锗，所述辅助源极/漏极图案的锗含量大于所述第一源极/漏极图案的锗含量并且小于所述第二源极/漏极图案的锗含量。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极间隔物包括：

第一间隔物侧壁，所述第一间隔物侧壁位于所述开口外部；以及

第二间隔物侧壁，所述第二间隔物侧壁相当于所述开口的内侧壁，

其中，所述第二源极/漏极图案与所述第一间隔物侧壁和所述第二间隔物侧壁接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁边缘厚度的范围为3nm至7nm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括栅极介电层，所述栅极介电层插入在所述栅电极与所述栅极间隔物之间，并且通过所述开口暴露，其中，

所述第一源极/漏极图案具有与所述栅极介电层间隔开的外侧壁，

所述栅极间隔物包括暴露于所述开口并且彼此面对的第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物，

所述第一源极/漏极图案的所述外侧壁与所述第一侧壁间隔物在位于所述第一栅极段的所述高度的第一位置处相交，

所述第一源极/漏极图案的所述外侧壁与所述第二侧壁间隔物在位于所述第一栅极段的所述高度的第二位置处相交，并且

经过所述第一位置的第一切线与经过所述第二位置的第二切线之间的第一角度的范围为150°至180°。