[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010093083.9 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN112530900A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 内山泰宏 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够容易地将衬底上的元件与存储单元阵列内的电极层连接的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置具备：第1衬底；逻辑电路，设置于所述第1衬底上；及存储单元阵列，设置于所述逻辑电路的上方，且包含被积层的多个电极层及设置于所述多个电极层上方的半导体层。所述装置还具备：第1及第2插塞，设置于所述逻辑电路的上方，且电连接于所述逻辑电路；焊盘，设置于所述第1插塞上；及金属配线层，设置于所述存储单元阵列上，电连接于所述半导体层，且电连接于所述第2插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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