[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1衬底；

逻辑电路，设置在所述第1衬底上；

存储单元阵列，设置于所述逻辑电路的上方，且包含被积层的多个电极层、及设置于所述多个电极层上方的半导体层；

第1及第2插塞，设置于所述逻辑电路的上方，且电连接于所述逻辑电路；

焊盘，设置于所述第1插塞上；及

金属配线层，设置于所述存储单元阵列上，电连接于所述半导体层，且电连接于所述第2插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘及所述金属配线层设置于相同的配线层内。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第1及第2插塞在所述存储单元阵列的外部设置于所述存储单元阵列的侧方。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述半导体层包含于源极线，所述金属配线层包含于源极配线层。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述金属配线层设置于所述半导体层上。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述金属配线层设置于所述半导体层的上表面及侧面。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述金属配线层设置于所述半导体层上及所述第2插塞上。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

所述半导体层设置于所述第2插塞上，

所述金属配线层设置于所述半导体层上，经由所述半导体层而电连接于所述第2插塞。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

还具备设置于所述存储单元阵列上的第1绝缘膜，

所述金属配线层包含介隔所述第1绝缘膜而设置于所述存储单元阵列上的第1部分、及在所述第1绝缘膜内设置于所述存储单元阵列上的第2部分。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中具备

多个第1垫，设置于所述第1衬底的上方；及

多个第2垫，设置于所述第1垫上；且

所述存储单元阵列、所述第1插塞、及所述第2插塞各经由任一所述第1垫及任一所述第2垫而电连接于所述逻辑电路。

11.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在第1衬底上设置逻辑电路，

在所述逻辑电路的上方设置包含积层的多个电极层、及设置于所述多个电极层上方的半导体层的存储单元阵列，

在所述逻辑电路的上方设置电连接于所述逻辑电路的第1及第2插塞，

在所述第1插塞上形成焊盘，

在所述存储单元阵列上形成电连接于所述半导体层及所述第2插塞的金属配线层。

12.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在第1衬底上形成逻辑电路，

在第2衬底的上方形成包含半导体层、及积层于所述半导体层上方的多个电极层的存储单元阵列，

在所述第2衬底的上方形成第1及第2插塞，

通过将所述第1衬底与所述第2衬底贴合而在所述逻辑电路的上方配置所述存储单元阵列及所述第1及第2插塞，

在所述贴合后将所述第2衬底去除，

在所述第2衬底去除后，在所述第1插塞上形成焊盘，

在所述第2衬底去除后，在所述存储单元阵列上形成电连接于所述半导体层及所述第2插塞的金属配线层。

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置的制造方法，其中

所述焊盘及所述金属配线层是通过在所述第2衬底去除后对形成于所述第1插塞及所述存储单元阵列上的相同的配线层进行加工而形成。