[发明专利]图案化TFC且并入ODI架构和有机衬底的任何堆积层中的方法在审
| 申请号： | 202010092639.2 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111696949A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | R.贾因;李圭伍;I.A.萨拉马;A.P.阿卢尔;任纬纶;Y.闵;李声 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 付曼;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括半导体封装。半导体封装包括多个堆积层以及堆积层中的多个导电层。导电层包括第一导电层和第二导电层。第一导电层在第二导电层和堆积层上方，其中第一通孔耦合第一导电层和第二导电层。该半导体封装还包括堆积层中的薄膜电容器（TFC），其中第二通孔将TFC耦合到第一导电层，并且第二通孔具有比第一通孔的厚度小的厚度。第一导电层可以是第一级互连。堆积层可以是电介质。TFC可包括第一电极、第二电极和电介质。第一电极可在第二电极上方，并且电介质可在第一电极和第二电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 tfc 并入 odi 架构 有机 衬底 任何 堆积 中的 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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