[发明专利]图案化TFC且并入ODI架构和有机衬底的任何堆积层中的方法在审
| 申请号： | 202010092639.2 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111696949A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | R.贾因;李圭伍;I.A.萨拉马;A.P.阿卢尔;任纬纶;Y.闵;李声 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 付曼;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 tfc 并入 odi 架构 有机 衬底 任何 堆积 中的 方法 | ||
1.一种封装衬底，包括：
多个堆积层；
所述多个堆积层中的多个导电层，其中所述多个导电层包括第一导电层和第二导电层，其中所述第一导电层在所述第二导电层和所述多个堆积层上方，并且其中第一通孔将所述第一导电层耦合到所述第二导电层；以及
所述多个堆积层中的薄膜电容器（TFC），其中第二通孔将所述TFC耦合到所述第一导电层，并且其中所述第二通孔具有比所述第一通孔的厚度小的厚度。
2.如权利要求1所述的封装衬底，其中所述第一导电层是多个第一级互连，并且其中所述多个堆积层是电介质。
3.如权利要求1或2所述的封装衬底，其中所述TFC包括第一电极、第二电极和电介质。
4.如权利要求3所述的封装衬底，其中所述第一电极在所述第二电极上方，并且其中所述电介质在所述第一电极和所述第二电极之间。
5.如权利要求3所述的封装衬底，其中所述第一电极利用通孔电耦合到所述第二电极。
6.如权利要求3所述的封装衬底，其中所述第一电极是铜，其中所述第二电极是镍，并且其中所述电介质是钛酸钡。
7.如权利要求3所述的封装衬底，其中所述第二通孔耦合所述第一导电层和所述TFC的所述第一电极。
8.如权利要求3所述的封装衬底，还包括：
所述多个导电层包括第三导电层，其中所述第三导电层在所述第一导电层和所述第二导电层下方；以及
所述第三导电层的一部分上的粘合层，其中所述粘合层将所述第三导电层的所述部分耦合到所述TFC的所述第二电极。
9.如权利要求1或2所述的封装衬底，其中所述TFC具有大约15μm至25μm的厚度。
10.一种半导体封装，包括：
电介质上的多个导电柱；
所述电介质上的TFC和桥；
所述多个导电柱、所述TFC和所述桥上方的导电层；
所述导电层上方的多个管芯，其中所述多个管芯在通信上耦合到所述TFC和所述桥；以及
所述多个管芯、所述TFC、所述桥、所述导电层和所述多个导电柱上方以及周围的包封层。
11.如权利要求10所述的半导体封装，其中所述导电层是多个第一级互连，并且其中所述导电层耦合到所述多个导电柱、所述TFC和所述桥。
12.如权利要求10或11所述的半导体封装，其中所述TFC包括第一电极、第二电极和电介质。
13.如权利要求12所述的半导体封装，其中所述第一电极在所述第二电极上方，并且其中所述电介质在所述第一电极和所述第二电极之间。
14.如权利要求12所述的半导体封装，其中所述第一电极利用通孔电耦合到所述第二电极。
15.如权利要求12所述的半导体封装，其中所述第一电极是铜，其中所述第二电极是镍，其中所述电介质是钛酸钡，并且其中所述桥是嵌入式多管芯互连桥。
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