[发明专利]具有动态耦合到漏极的本体的NMOS晶体管在审
| 申请号： | 202010066344.8 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111490697A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | V·K·沙马;V·库玛尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/537 | 分类号： | H02M7/537;H02M1/32;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;傅远 |
| 地址： | 荷兰斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有动态耦合到漏极的本体的NMOS晶体管。一种电路包括逻辑电路和驱动器。该驱动器包括第一NMOS、PAD以及驱动器保护电路，第一NMOS具有耦合到逻辑电路的栅极和耦合到参考电压的源极，PAD耦合到第一NMOS的漏极。该驱动器保护电路包括第二NMOS和电阻器，第二NMOS具有通过电容器耦合到PAD的漏极、耦合到参考电压的源极以及耦合到电源电压的栅极，电阻器耦合在第二NMOS的漏极和第一NMOS的本体之间。当静电放电(ESD)事件升高相对于参考电压或电源电压的PAD处的电位时，电源电压转换为低电平，使得第二NMOS关断，导致第一NMOS的本体与参考电压隔离并且使用电容器将其本体与PAD耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 动态 耦合 到漏极 本体 nmos 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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