[发明专利]具有动态耦合到漏极的本体的NMOS晶体管

权利要求书

1.一种电路，包括：

逻辑电路；

所述逻辑电路的输出驱动器，所述输出驱动器包括：

第一NMOS晶体管，具有耦合到所述逻辑电路的栅极、耦合到参考电压的源极、以及耦合到焊盘的漏极；

所述输出驱动器的保护电路，所述保护电路包括：

第二NMOS晶体管，具有耦合到所述焊盘的漏极、耦合到所述参考电压的源极、以及耦合到电源电压的栅极；以及

电阻器，耦合在所述第二NMOS晶体管的所述漏极和所述第一NMOS晶体管的本体之间；

其中当静电放电(ESD)事件将所述焊盘处的电位提高到相对于所述参考电压为正的电位时，所述电源电压最初是浮动的，使得所述第二NMOS晶体管关断，导致所述第一NMOS晶体管的所述本体与所述参考电压隔离；并且

其中在没有ESD事件出现的情况下，所述电源电压保持足够高，使得所述第二NMOS晶体管接通，以将所述第一NMOS晶体管的所述本体耦合到所述第一NMOS晶体管的所述源极。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一NMOS晶体管的所述栅极直接电连接到所述逻辑电路的输出，其中所述第一NMOS晶体管的所述源极直接电连接到所述参考电压，并且其中所述第一NMOS晶体管的所述漏极直接电连接到所述焊盘。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述电阻器具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到所述第二NMOS晶体管的所述源极，所述第二端子耦合到所述第一NMOS晶体管的所述本体与所述第二NMOS晶体管的所述漏极。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述电阻器具有第一端子和第二端子，所述第一端子直接电连接到所述第二NMOS晶体管的所述源极，所述第二端子直接电连接到所述第一NMOS晶体管的所述本体与所述第二NMOS晶体管的所述漏极。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述电阻器具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到所述第二NMOS晶体管的所述漏极，所述第二端子耦合到所述第一NMOS晶体管的所述本体。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述电阻器具有第一端子和第二端子，所述第一端子直接电连接到所述第二NMOS晶体管的所述漏极，所述第二端子直接电连接到所述第一NMOS晶体管的所述本体。

7.根据权利要求1所述的电路，进一步包括耦合在所述焊盘和所述第二NMOS晶体管的所述漏极之间的电容器。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述电容器使用集总电容器实现。

9.根据权利要求7所述的电路，其中所述电容器使用任何器件的电容行为来实现。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一NMOS晶体管是硅化物或非硅化物。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二NMOS晶体管的所述漏极耦合到所述第一NMOS晶体管的所述本体；并且其中所述第二NMOS晶体管的所述漏极通过所述电阻器和电容器耦合到所述焊盘。

12.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二NMOS晶体管的所述漏极直接电连接到所述第一NMOS晶体管的所述本体；并且其中所述第二NMOS晶体管的所述漏极通过直接电连接到所述电阻器的第一端子、所述电阻器的第二端子直接电连接到电容器的第一端子、以及所述电容器的第二端子直接电连接到所述焊盘而耦合到所述焊盘。

13.根据权利要求1所述的电路，其中所述输出驱动器进一步包括第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦合到所述电源电压的源极、耦合到所述焊盘的漏极、以及耦合到所述逻辑电路的栅极。