[发明专利]一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010063893.X | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111139526A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 兰伟;马凌霄;董晨浩;张兴旺 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王欢 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及二维层状材料研究领域，具体涉及一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法器。包括：使用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗单晶衬底；将清洗的单晶衬底浸入氢氟酸溶液中处理；将高纯Ni靶安置在直流磁控溅射仪的靶位上，在单晶衬底上外延生长Ni(111)取向的薄膜；将镍/单晶衬底固定在样品托上，置入离子束溅射沉积设备的生长腔室中，通过氢气和氩气处理，进行薄膜生长；将生长的薄膜冷却，获得大尺寸单晶氮化硼薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离子束 溅射 沉积 获得 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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