[发明专利]一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010063893.X | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111139526A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 兰伟;马凌霄;董晨浩;张兴旺 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王欢 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离子束 溅射 沉积 获得 氮化 薄膜 方法 | ||
1.一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于，包括：
S1.使用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗单晶衬底；
S2.将清洗的单晶衬底浸入氢氟酸溶液中处理；
S3.将高纯Ni靶安置在直流磁控溅射仪的靶位上，在单晶衬底上外延生长Ni(111)取向的薄膜；
S4.将镍/单晶衬底固定在样品托上，置入离子束溅射沉积设备的生长腔室中，于氢气氛围中处理薄膜，于氩气氛围中进行薄膜生长；
S5.将生长的薄膜冷却，获得大尺寸单晶氮化硼薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S1中，使用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗时，每次清洗结束后用去离子水冲洗，最后干燥处理。
3.根据权利要求1所述的一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S2中单晶衬底浸入氢氟酸溶液中20s～30s后，再用去离子水冲洗，最后将单晶衬底干燥处理。
4.根据权利要求1所述的一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S3中，高纯Ni靶的纯度为99.99％。
5.根据权利要求1所述的一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S4还包括：
S401.将镍/单晶衬底固定在样品托上，置入离子束溅射沉积设备的生长腔室中，将腔室真空抽至3.75×10-3mTor；
S402.向反应腔室中通入氢气，镍/单晶衬底升温后退火；
S403.关闭氢气阀门，通入氩气，待气压稳定后，开启炉盘旋转和主离子源,产生Ar离子；
S404.设定溅射偏压、加速电压和阳极电压，调节阴极灯丝电流，进行薄膜生长。
6.根据权利要求1所述的一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S5中，将生长的薄膜在氩气中自然冷却至室温。
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