[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 202010061134.X | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111554341A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李秀雄;金贤真;郑宰镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24;G11C7/10;G11C7/12;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了页缓冲器电路的操作方法、非易失性存储器装置及其操作方法。一种非易失性存储器装置包括：包括多个存储器单元的存储器单元阵列、页缓冲器电路和控制逻辑电路。页缓冲器电路包括多个第一页缓冲器和多个第二页缓冲器，其各自包括感测锁存器、数据锁存器和高速缓存锁存器。感测锁存器感测存储在存储器单元阵列中的数据并将所感测的数据转储到数据锁存器，数据锁存器将由感测锁存器转储的数据转储到高速缓存锁存器，并且高速缓存锁存器将由数据锁存器转储的数据发送到数据I/O电路。在包括在多个第一页缓冲器中的至少一个中的高速缓存锁存器执行数据发送操作的同时，包括在多个第二页缓冲器中的至少一个中的数据锁存器执行数据转储操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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