[发明专利]MRAM存储器及MRAM阵列读取电路在审
| 申请号： | 202010046190.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113140241A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 周永亮;刘明月;汪腾野;张梦迪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种MRAM存储器及MRAM阵列读取电路，所述MRAM阵列读取电路包括追踪延时电路、字线驱动电路和灵敏放大器；所述追踪延时电路的输入端与预设的时钟脉冲信号耦接，所述追踪延时电路的第一延时输出端与字线驱动电路耦接，所述追踪延时电路的第二延时输出端与所述灵敏放大器的使能端耦接，适于在所述时钟脉冲信号有效时，通过追踪MRAM阵列的阵列位线的放电过程对所述时钟脉冲信号分别进行第一延时和第二延时，生成第一延时信号和第二延时信号，分别作为MRAM阵列的阵列字线开启信号和灵敏放大器的使能信号。上述的方案，可以输出时序上相匹配的阵列字线开启信号和灵敏放大器使能信号，提高MRAM阵列中存储的数据读取的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | mram 存储器 阵列 读取 电路 | ||
【主权项】：
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