[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法、电力转换装置有效
| 申请号： | 202010031002.2 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111463140B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 河本启辅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H02M1/00;H02M7/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率用半导体装置的制造方法、功率用半导体装置及电力转换装置。提高功率用半导体装置的散热性能。隔着中间构造(71B)将功率用半导体元件(70)和支撑部件(10)层叠。中间构造(71B)包含第一金属膏层(21)、至少一个第一贯穿部件(31)。第一金属膏层(21)包含多个第一金属颗粒。第一贯穿部件(31)贯穿第一金属膏层(21)。使安装于将第一金属膏层(21)贯穿的至少一个第一贯穿部件(31)的至少一个第一振动件(51)振动。对第一金属膏层(21)进行加热，以使得多个第一金属颗粒烧结或熔解。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 电力 转换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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