[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法、电力转换装置

权利要求书

1.一种功率用半导体装置的制造方法，其具有以下工序：

隔着中间构造将功率用半导体元件和支撑部件层叠，该中间构造包含第一金属膏层和至少一个第一贯穿部件，该第一金属膏层包含多个第一金属颗粒，该至少一个第一贯穿部件贯穿所述第一金属膏层；

使安装于将所述第一金属膏层贯穿的所述至少一个第一贯穿部件的至少一个第一振动件振动；以及

对所述第一金属膏层进行加热，以使得所述多个第一金属颗粒烧结或熔解。

2.根据权利要求1所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

对所述第一金属膏层进行加热的工序包含以比所述多个第一金属颗粒的熔点低的温度使所述多个第一金属颗粒烧结的工序。

3.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

使所述至少一个第一振动件振动的工序包含以下工序：使用通过所述至少一个第一贯穿部件的电流路径而向所述至少一个第一振动件施加电信号。

4.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

在使所述至少一个第一振动件振动的工序中，所述至少一个第一贯穿部件具有从所述第一金属膏层凸出的第一端部及第二端部。

5.根据权利要求4所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

所述至少一个第一振动件包含：第一端部振动件，其安装于所述第一贯穿部件的所述第一端部；以及第二端部振动件，其安装于所述第一贯穿部件的所述第二端部。

6.根据权利要求5所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

在使所述至少一个第一振动件振动的工序中，至少暂时仅使所述第一端部振动件和所述第二端部振动件中的一个振动。

7.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

使所述至少一个第一振动件振动的工序是以所述至少一个第一贯穿部件的振幅小于或等于所述第一金属膏层的厚度的方式进行的。

8.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

所述至少一个第一贯穿部件由金属构成。

9.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

将所述功率用半导体元件和所述支撑部件层叠的工序，是以层叠方向上的所述第一贯穿部件的一侧及另一侧分别面向所述第一金属膏层的方式进行的。

10.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

在将所述功率用半导体元件和所述支撑部件层叠的工序中，所述至少一个第一贯穿部件沿所述功率用半导体元件的对角线方向配置。

11.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

所述至少一个第一贯穿部件为多个贯穿部件。

12.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

在使所述至少一个第一振动件振动的工序中，所述至少一个第一贯穿部件具有中空形状。

13.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

对所述第一金属膏层进行加热的工序包含以下工序：在小于或等于第一温度的范围对所述第一金属膏层进行加热；以及在小于或等于所述第一温度的范围对所述第一金属膏层进行加热的工序后，将所述第一金属膏层加热至比所述第一温度高的第二温度，

使所述至少一个第一振动件振动的工序在将所述第一金属膏层加热至比所述第一温度高的所述第二温度的工序之前停止。