[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010002165.8 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111162077B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李明;陈韦斌;刘隆冬;周颖 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李洋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：在衬底上形成停止层；在所述停止层上形成初始牺牲层；对所述初始牺牲层进行掺杂处理，形成掺杂牺牲层；形成堆叠结构；所述堆叠结构位于所述掺杂牺牲层上；形成多个沟道结构，所述多个沟道结构穿过所述堆叠结构、所述掺杂牺牲层、所述停止层，且延伸至所述衬底上；对所述堆叠结构及所述掺杂牺牲层进行刻蚀，形成多个穿过所述堆叠结构，且延伸至所述掺杂牺牲层的第一凹陷区；其中，在所述刻蚀对应的相同刻蚀工艺下，掺杂牺牲层的刻蚀速率小于初始牺牲层的刻蚀速率；堆叠结构的刻蚀速率大于掺杂牺牲层的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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