[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成停止层；

在所述停止层上形成初始牺牲层；

对所述初始牺牲层进行掺杂处理，形成掺杂牺牲层；

形成堆叠结构；所述堆叠结构位于所述掺杂牺牲层上；

形成多个沟道结构，所述多个沟道结构穿过所述堆叠结构、所述掺杂牺牲层、所述停止层，且延伸至所述衬底上；

对所述堆叠结构及所述掺杂牺牲层进行刻蚀，形成多个穿过所述堆叠结构，且延伸至所述掺杂牺牲层的第一凹陷区；其中，在所述刻蚀对应的相同刻蚀工艺下，掺杂牺牲层的刻蚀速率小于初始牺牲层的刻蚀速率，堆叠结构的刻蚀速率大于掺杂牺牲层的刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用刻蚀气体中的氟源来执行刻蚀，掺杂处理所使用的掺杂离子包括负离子。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掺杂离子为带负电的硼离子。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行掺杂处理的厚度大于或等于未进行掺杂处理前的初始牺牲层厚度的一半。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述初始牺牲层进行掺杂处理的步骤包括：

对所述初始牺牲层进行离子注入。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

进行掺杂处理后，对形成的结构进行退火处理；

在退火处理后的掺杂牺牲层上形成堆叠结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始牺牲层的材料为多晶硅。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括CF₄或CHF₃。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底上的停止层；

位于所述停止层上的掺杂牺牲层；其中，所述掺杂牺牲层是对设置在所述停止层上的初始牺牲层进行掺杂处理后形成的；

位于所述掺杂牺牲层上的堆叠结构；

多个穿过所述堆叠结构、所述掺杂牺牲层、所述停止层，且延伸至所述衬底上的沟道结构；

多个穿过所述堆叠结构，且延伸至所述掺杂牺牲层的第一凹陷区；其中，所述多个第一凹陷区是通过对所述堆叠结构及所述掺杂牺牲层的刻蚀形成的；在所述刻蚀对应的相同刻蚀工艺下，掺杂牺牲层的刻蚀速率小于初始牺牲层的刻蚀速率，堆叠结构的刻蚀速率大于掺杂牺牲层的刻蚀速率。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂处理的掺杂离子为带负电的硼离子。